国产光刻胶通过量产验证:120nm分辨率 配方全自主设计

10月15日消息,据中国光谷公众号,日前,武汉太紫微光电科技有限公司(以下简称太紫微公司)推出的T150 A光刻胶产品,通过半导体工艺量产验证。

T150 A光刻胶实现配方全自主设计,对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。

国产光刻胶通过量产验证:120nm分辨率 配方全自主设计

据介绍,相较于国外同系列产品UV1610,T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm,且工艺宽容度更大,稳定性更高,坚膜后烘留膜率优秀。

通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀,下层介质的侧壁垂直度表现优异。

国产光刻胶通过量产验证:120nm分辨率 配方全自主设计

资料显示,太紫微公司成立于2024年5月,由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。

光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。

光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。

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